最新试题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
题型:填空题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题