填空题双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
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2.填空题第一块集成电路发明于()年。
3.填空题1947年,()等人制造了第一个晶体管。
5.填空题半导体的主要特征有()()()和()。
9.判断题绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
最新试题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
理想的MOS管,栅极加上偏压之后,沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
题型:判断题
理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上,栅极分压占比小于50%。
题型:判断题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题