填空题双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
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3.填空题第一块集成电路发明于()年。
4.填空题1947年,()等人制造了第一个晶体管。
6.填空题半导体的主要特征有()()()和()。
10.判断题绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
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MOS管可以分为4类型,其中p沟增强型MOS的载流子主要是电子。
题型:判断题
实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。
题型:判断题
当p沟耗尽型MOS管处于饱和工作区时,漏极将失去对漏源电流的控制能力。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题
n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
题型:判断题
“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
题型:填空题