填空题半导体具有的负的温度系数的发现年份是()年。
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MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。
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P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
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1947年,()等人制造了第一个晶体管。
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双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
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处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
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半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
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