最新试题
栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
题型:判断题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
MOS管的转移特性曲线指的是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
题型:判断题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
处在饱和工作区的N型衬底材料MOS管,栅极将失去对漏源电流的控制作用。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
半导体的主要特征有()()()和()。
题型:填空题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题