最新试题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题
MOS管阈值电压的单位是eV。
题型:判断题
N型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
“合金型晶体管”,“平面型晶体管”和“外延型晶体管”这三种晶体管中,目前生产最主要的一种是()。
题型:填空题