N沟耗尽型MOS的转移曲线中，电流随着电压绝对值的增加而增大。

判断题N沟耗尽型MOS的转移曲线中，电流随着电压绝对值的增加而增大。

1.判断题可以用半导体材料的费米势的大小来衡量其杂质掺杂浓度高低。

2.判断题功函数是真空能级与费米能级之间的波函数。

3.判断题集成电路中最基本又最核心的器件是金属-绝缘体-半导体型场效应晶体管，而最普遍又最常见的器件是PN结。

4.判断题当半导体的表面势略大于其费米势时，开始进入强反型状态。

5.判断题一般的MOS管的输出特性曲线可以分为三个区，即可调电阻区、饱和工作区和击穿工作区。

6.判断题所谓MOS管的正向偏置是指门极、源极和漏极都处于正电位，而衬底位于零电位。

7.判断题MOS型场效应晶体管是一种三端、三种材料、异质结型、一种载流子工作的电压控制型器件。

8.判断题平带电压就是使材料达到理想平带状态所需要的外加电压，其大小与电子亲合力相等。

9.判断题电子亲合力是真空能级与导带底的差值。

10.多项选择题关于pn结空间电荷区的说法正确的有（）。

A.宽度大约几百个微米
B.其宽度与外加偏置电压大小有关
C.反向偏置宽度增大
D.正向偏置宽度增大
E.内部存在着热平衡载流子
F.与p区和n区相比最容易失效