最新试题
双极型晶体管内部有()个极,()个区,()个PN结。
题型:填空题
MOS的输出特性曲线中,给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。
题型:判断题
第一块集成电路发明于()年。
题型:填空题
1947年,()等人制造了第一个晶体管。
题型:填空题
处于饱和工作区的n沟耗尽型MOS管,漏极将失去对沟道电流的控制能力。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区,饱和区和击穿区。
题型:判断题
实际的MOS管,绝缘层相当于一个电阻无限大的绝缘体,其中没有任何杂质和缺陷。
题型:判断题
N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。
题型:判断题
()是最早实现提纯和完美晶体生长的半导体材料。
题型:填空题