填空题晶体管的全部应用模式中,共有()种放大倍数。
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p型衬底材料的MOS管,其半导体的掺杂浓度增大,阈值电压随之增大。
题型:判断题
栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
题型:判断题
P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。
题型:判断题
MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压,即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
题型:判断题
晶体管正常使用过程中,处于正偏的PN结是()结,处于反偏的PN结是()结。
题型:填空题
双极型晶体管使用中,电流最大的极是(),电流最小的极是()。
题型:填空题
MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。
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绝缘层材料的厚度会对MOS管的阈值电压产生影响。
题型:判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
题型:判断题
绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
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