半导体的主要散射机制。

问答题半导体的主要散射机制。

电离杂质散射；
晶格振动散射，包括声子波和光学波散射；
其他因素散射：等能谷散射，中性杂质散射，位错散射，合金散射，等。

1.问答题试从经典物理和量子理论分别说明载流子受到散射的物理意义。

2.问答题半导体的简并化判据

3.问答题如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？

费米能级深入到导带或者价带中

4.问答题当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。

决定因素：掺杂浓度，掺杂能级，导带的电子有效态密度等。
费米能级比较：强n>弱n>本征>弱p>强p

5.问答题为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高？

硅的禁带宽度比锗大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。

6.问答题若n型硅中掺入受主杂质，费米能级升高还是降低？若温度升高当本征激发起作用时，费米能级在什么位置，为什么？

费米能级降低了。
费米能级在本征费米能级以上。

7.问答题半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级

8.问答题写出半导体的电中性方程，此方程在半导体中有何重要意义？

电子浓度等于空穴浓度。
意义：平衡状态下半导体体内是电中性的。

9.问答题在半导体计算中，经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计，试说明这种过渡的物理意义。

10.问答题说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。