如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？

问答题如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？

锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。

1.问答题一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。

提高迁移率和和提高本征载流子浓度

2.问答题几种散射机制同时存在，总的散射几率？

总散射概率等于多种散射概率之和。

3.问答题平均自由程，平均自由时间，散射几率？

4.问答题什么是声子？它对半导体材料的电导起什么作用？

5.问答题半导体的主要散射机制。

电离杂质散射；
晶格振动散射，包括声子波和光学波散射；
其他因素散射：等能谷散射，中性杂质散射，位错散射，合金散射，等。

6.问答题试从经典物理和量子理论分别说明载流子受到散射的物理意义。

7.问答题半导体的简并化判据

8.问答题如果向半导体中重掺施主杂质，就你所知会出现一些什么效应？

费米能级深入到导带或者价带中

9.问答题当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。

决定因素：掺杂浓度，掺杂能级，导带的电子有效态密度等。
费米能级比较：强n>弱n>本征>弱p>强p

10.问答题为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高？

硅的禁带宽度比锗大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。