为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为...

单项选择题为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）

A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】

1.单项选择题可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）

A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度补偿型

2.单项选择题对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。

A、平衡载流子浓度成正比
B、非平衡载流子浓度成正比
C、平衡载流子浓度成反比
D、非平衡载流子浓度成反比

3.单项选择题如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（）。

A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体

4.单项选择题对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）

A.单调上升
B.单调下降
C.经过一个极小值趋近Ei
D.经过一个极大值趋近Ei

5.单项选择题如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。

A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度

6.单项选择题本征半导体是指（）的半导体

A.不含杂质和缺陷
B.电阻率最高
C.电子密度和空穴密度相等
D.电子密度与本征载流子密度相等

7.单项选择题以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（）

A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN

8.单项选择题当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。

A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p

9.单项选择题有效复合中心的能级必靠近（）

A.禁带中部
B.导带
C.价带
D.费米能级

10.单项选择题对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（）

A.平衡载流子浓度成正比
B.非平衡载流子浓度成正比
C.平衡载流子浓度成反比
D.非平衡载流子浓度成反比