与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）

单项选择题与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）

A.比绝缘体的大
B.比绝缘体的小
C.和绝缘体的相同

1.名词解释深杂质能级

2.名词解释能带

3.单项选择题把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）

A.改变禁带宽度
B.产生复合中心
C.产生空穴陷阱
D.产生等电子陷阱

4.单项选择题一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

A.1/4
B.1/e
C.1/e2
D.1/2

5.单项选择题同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）

A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4
B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9
C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3
D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/8

6.单项选择题如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）

A.施主
B.受主
C.复合中心
D.陷阱
E.两性杂质

7.单项选择题MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）

A.电子；
B.空穴；
C.钠离子；
D.硅离子。

8.单项选择题在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。

A.少数载流子反型状态，多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态
B.多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态
C.多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态，少数载流子反型状态
D.少数载流子反型状态，多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态

9.单项选择题对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（）

A.无关；
B.成正比；
C.成反比；
D.的平方成反比

10.单项选择题以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）

A、平方成正比；
B、3/2次方成反比；
C、平方成反比；
D、1/2次方成正比；