MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）

单项选择题MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）

A.电子；
B.空穴；
C.钠离子；
D.硅离子。

1.单项选择题在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。

A.少数载流子反型状态，多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态
B.多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态
C.多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态，少数载流子反型状态
D.少数载流子反型状态，多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态

2.单项选择题对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（）

A.无关；
B.成正比；
C.成反比；
D.的平方成反比

3.单项选择题以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn与温度的（）

A、平方成正比；
B、3/2次方成反比；
C、平方成反比；
D、1/2次方成正比；

4.单项选择题本征半导体是指（）的半导体。

A、不含杂质与缺陷；
B、电子密度与空穴密度相等；
C、电阻率最高；
C、电子密度与本征载流子密度相等。

5.单项选择题电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（）

A、各处出现的几率相同
B、各处的相位相同
C、各元胞对应点出现的几率相同
D、各元胞对应点的相位相同

6.单项选择题硅的晶格结构和能带结构分别是（）

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

7.单项选择题重空穴是指（）

A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

8.单项选择题欧姆接触是指（）的金属－半导体接触。

A、Wms=0
B、Wms＜0
C、Wms＞0
D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性

9.单项选择题半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（）

A、散射机构；
B、复合机构；
C、杂质浓度梯度；
C、表面复合速度。

10.单项选择题一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）

A、1/4
B、1/e
C、1/e²
D、1/2