A、散射机构;
B、复合机构;
C、杂质浓度梯度;
C、表面复合速度。
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A、1/4
B、1/e
C、1/e2
D、1/2
A、变大,变大
B、变小,变小
C、变小,变大
D、变大,变小
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型
A.In(Wm=3.8eV)
B.Cr(Wm=4.6eV)
C.Au(Wm=4.8eV)
D.Al(Wm=4.2eV)
A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性
A.载流子发生能谷间散射
B.载流子迁移率增大
C.载流子寿命变大
D.载流子浓度变小
A.本征半导体
B.杂质半导体
C.金属导体
D.简并半导体
A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构
A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用
A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中,电子迁移率比空穴迁移率高
最新试题
处于饱和状态的晶体管可通过()鉴别。
PNP型晶体管中,N型区是()
温度降低时,三极管的β值(),集电结反向饱和电流ICBO()
对于NPN型三极管,当VBE=0时,VBE<VCE,则该管的工作状态是()
PNP型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
三极管工作时,有()种载流子参与导电。
某三极管的IB=20μA时,IE=0.9mA,则它的电流放大系数β=()
在某电路中,测得晶体管三个管脚间的电压值分别为:VBE=-0.2V,VEC=5V,VBC=4.8V,则此晶体管的类型和材料分别是()
α是()的比值。
已知三极管的β=100,若IB=10μA,则该管的IC=()(忽略ICEO)