A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性
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A.载流子发生能谷间散射
B.载流子迁移率增大
C.载流子寿命变大
D.载流子浓度变小
A.本征半导体
B.杂质半导体
C.金属导体
D.简并半导体
A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构
A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用
A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中,电子迁移率比空穴迁移率高
A.若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度
B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C.处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D.半导体中,导带电子都处于导带底Ec能级位置
A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化
A、(EC-EF.或(EF-EV)≤0
B、(EC-EF.或(EF-EV)≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】
最新试题
PNP型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
三极管的两个PN结都正偏时,三极管可能处于()状态。
温度升高时,三极管的β值(),导通电压VBE(on)()
PNP型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
I-V特性曲线和负载线的交叉点叫做()
已知某三极管的射极电流IE=1.36mA,集电极电流IC=1.33mA,则基极电流IB=()
若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V,VC=-7V,VE=-2V,则该三极管的工作状态是()
若三极管VBE>0,VBE<VCE,则该三极管的工作状态是()
处于饱和状态的晶体管可通过()鉴别。
测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发射极电压为-1V,集电极电压为-5V,则该管为()