A.若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度
B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C.处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D.半导体中,导带电子都处于导带底Ec能级位置
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A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化
A、(EC-EF.或(EF-EV)≤0
B、(EC-EF.或(EF-EV)≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】
A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度补偿型
A、平衡载流子浓度成正比
B、非平衡载流子浓度成正比
C、平衡载流子浓度成反比
D、非平衡载流子浓度成反比
A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体
A.单调上升
B.单调下降
C.经过一个极小值趋近Ei
D.经过一个极大值趋近Ei
A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度
A.不含杂质和缺陷
B.电阻率最高
C.电子密度和空穴密度相等
D.电子密度与本征载流子密度相等
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PNP型晶体管中,N型区是()
PNP型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()
已知三极管的β=100,若IB=10μA,则该管的IC=()(忽略ICEO)
温度升高时,三极管的β值(),导通电压VBE(on)()
NPN型晶体管工作在放大状态时,基极应当()
常温下测得一处于放大状态的三极管各极电位分别为8V、3.3V、3V,则该管为()
β是()的比值。
测得以硅三极管的基极电压为-1.7V,发射极电压为-1V,集电极电压为-5V,则该管为()
NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
NPN型三极管工作在截止状态时,要求发射结(),集电结()