如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）

单项选择题如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）

A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化

1.问答题在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？

2.单项选择题简并半导体是指（）的半导体。

A、（EC-EF.或（EF-EV）≤0
B、（EC-EF.或（EF-EV）≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子

3.单项选择题为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）

A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】

4.单项选择题可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）

A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度补偿型

5.单项选择题对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。

A、平衡载流子浓度成正比
B、非平衡载流子浓度成正比
C、平衡载流子浓度成反比
D、非平衡载流子浓度成反比

6.单项选择题如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（）。

A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体

7.单项选择题对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）

A.单调上升
B.单调下降
C.经过一个极小值趋近Ei
D.经过一个极大值趋近Ei

8.单项选择题如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。

A.不含施主杂质
B.不含受主杂质
C.不含任何杂质
D.处于绝对零度

9.单项选择题本征半导体是指（）的半导体

A.不含杂质和缺陷
B.电阻率最高
C.电子密度和空穴密度相等
D.电子密度与本征载流子密度相等

10.单项选择题以下4种半导体中最适合于制作高温器件的是（）

A.Si
B.Ge
C.GaAs
D.GaN