半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）

单项选择题半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）

A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构

1.单项选择题空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为（）

A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用

2.单项选择题下面说法正确的是（）

A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高

3.单项选择题关于半导体及导带电子等，下面说法错误的是（）

A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度
B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C.处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D.半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置

4.单项选择题如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）

A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化

5.问答题在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？

6.单项选择题简并半导体是指（）的半导体。

A、（EC-EF.或（EF-EV）≤0
B、（EC-EF.或（EF-EV）≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子

7.单项选择题为减少固定电荷密度和快界面态的影响，在制备MOS器件时通常选择硅单晶的方向为（）

A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】

8.单项选择题可以由霍尔系数的值判断半导体材料的特性，如一种半导体材料的霍尔系数为负值，该材料通常是（）

A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度补偿型

9.单项选择题对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。

A、平衡载流子浓度成正比
B、非平衡载流子浓度成正比
C、平衡载流子浓度成反比
D、非平衡载流子浓度成反比

10.单项选择题如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（）。

A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体