A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中,电子迁移率比空穴迁移率高
A.若半导体导带中发现电子的几率为0,则该半导体必定处于绝对零度
B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C.处于低温弱电离区的半导体,其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D.半导体中,导带电子都处于导带底Ec能级位置
A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化
A、(EC-EF.或(EF-EV)≤0
B、(EC-EF.或(EF-EV)≥0
C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
A、【100】
B、【111】
C、【110】
D、【111】或【110】
A、n型
B、p型
C、本征型
D、高度补偿型
A、平衡载流子浓度成正比
B、非平衡载流子浓度成正比
C、平衡载流子浓度成反比
D、非平衡载流子浓度成反比
A.金属
B.本征半导体
C.掺杂半导体
D.高纯化合物半导体
A.单调上升
B.单调下降
C.经过一个极小值趋近Ei
D.经过一个极大值趋近Ei
最新试题
三极管的两个PN结都正偏时,三极管可能处于()状态。
当晶体三极管的发射结加正偏、集电结加反偏时,它呈现的主要特性是正向受控作用,此时的工作模式称为()模式。
处于未饱和状态的晶体管基极电流增大,则集电极电流()
若三极管VBE>0,VBE<VCE,则该三极管的工作状态是()
PNP型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()
NPN型三极管三只管脚的电位关系为VE<VC<VB,则三极管工作在()区。
PNP型三极管工作在饱和状态时,要求发射结(),集电结()
某三极管的IB=20μA时,IE=0.9mA,则它的电流放大系数β=()
已知三极管的β=100,若IB=10μA,则该管的IC=()(忽略ICEO)
NPN型三极管工作在放大状态时,要求发射结(),集电结()