如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。

单项选择题如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。

A、变大，变大
B、变小，变小
C、变小，变大
D、变大，变小

1.单项选择题锗的晶格结构和能带结构分别是（）

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

2.单项选择题不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。

A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）

3.单项选择题金属-SiO₂-p型Si构成的MIS结构中，SiO₂中分布的可动正电荷不会影响（）。

A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性

4.单项选择题GaAs具有微分负电导现象，原因在于在强电场作用下，（）

A.载流子发生能谷间散射
B.载流子迁移率增大
C.载流子寿命变大
D.载流子浓度变小

5.单项选择题若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是（）

A.本征半导体
B.杂质半导体
C.金属导体
D.简并半导体

6.单项选择题半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）

A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构

7.单项选择题空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为（）

A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用

8.单项选择题下面说法正确的是（）

A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高

9.单项选择题关于半导体及导带电子等，下面说法错误的是（）

A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度
B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C.处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D.半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置

10.单项选择题如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）

A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化