本征半导体是指（）的半导体。

单项选择题本征半导体是指（）的半导体。

A、不含杂质与缺陷；
B、电子密度与空穴密度相等；
C、电阻率最高；
C、电子密度与本征载流子密度相等。

1.单项选择题电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（）

A、各处出现的几率相同
B、各处的相位相同
C、各元胞对应点出现的几率相同
D、各元胞对应点的相位相同

2.单项选择题硅的晶格结构和能带结构分别是（）

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

3.单项选择题重空穴是指（）

A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

4.单项选择题欧姆接触是指（）的金属－半导体接触。

A、Wms=0
B、Wms＜0
C、Wms＞0
D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性

5.单项选择题半导体中载流子的扩散系数决定于该材料中的（）

A、散射机构；
B、复合机构；
C、杂质浓度梯度；
C、表面复合速度。

6.单项选择题一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）

A、1/4
B、1/e
C、1/e²
D、1/2

7.单项选择题如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。

A、变大，变大
B、变小，变小
C、变小，变大
D、变大，变小

8.单项选择题锗的晶格结构和能带结构分别是（）

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

9.单项选择题不考虑表面态的影响，如需在n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最适合的是（）。

A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）

10.单项选择题金属-SiO₂-p型Si构成的MIS结构中，SiO₂中分布的可动正电荷不会影响（）。

A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性