简述MOS管的导电沟道是如何形成的。

问答题简述MOS管的导电沟道是如何形成的。

是P和N半导体相互浸入形成的。
如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型
如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。

1.问答题简述PMOS管的具体结构。

2.问答题根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？

NMOS和PMOS

3.问答题MOS管的核心结构是什么？

导体、绝缘体与衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起构成

4.问答题为什么晶体管的反向工作状态一般不用，尤其是在集成电路中更是如此？

5.问答题在放大状态下，三极管内部载流子传输过程是怎样进行的？

发射结的注入、基区中的输运与复合和集电区的收集

6.问答题双极型三极管有几种工作状态？每个状态PN结偏置情况如何？

7.问答题双极型三极管三个区有什么不同？

发射区的掺杂浓度远远高于基区和集电区，基区做的很薄，集电结的面积大于发射结的面积。

8.问答题PN结的主要特点是什么？

单向导电性

9.问答题什么是扩散运动？什么是漂移运动？

10.问答题杂质半导体中，多子和少子是如何形成的？