P型衬底的MOS管的伏安特性曲线可以分为可调电阻区，饱和区和击穿区。

MOS管的伏安特性曲线含义是漏源电压与漏源电流之间的关系曲线。

MOS管阈值电压的单位是eV。

P沟增强型MOS管存在着一个栅极截止电压。

理想的MOS管，栅极加上偏压之后，沟道表面将产生一定厚度的耗尽层。

1947年，（）等人制造了第一个晶体管。

双极型晶体管内部有（）个极，（）个区，（）个PN结。

N沟增强型MOS管衬底材料是N型掺杂半导体。

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

MOS的输出特性曲线中，给定的漏源电压下漏源电流随着栅极电压的增大而增加。