在CVD 技术中反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸气压而易于...

判断题在CVD 技术中反应剂在室温或不太高的温度下最好是气态或有较高的蒸气压而易于挥发成蒸汽的液态或固态物质，且有很高的纯度。

1.判断题活性炭对物质的吸附是对极性基团少的化合物的吸附力大于极性基团多的化合物。

2.判断题双膜理论中在膜层以外的气、液两相主体中，由于流体充分湍动，吸收质浓度是不均匀的。

3.判断题吸附平衡关系由吸附过程的方向和极限决定的，是吸附过程的基本依据。

4.判断题CVD 装置通常可以由气源控制部件、沉积反应室、沉积温控部件、真空排气和压强控制部件等部分组成。

5.判断题反应气体或生成物通过边界层，是以扩散的方式来进行的，而使气体分子进行扩散的驱动力，则是来自于气体分子局部的浓度梯度。

6.判断题CVD 工艺希望反应气体以湍流的形式流动。

7.判断题化学合成反应沉积是由两种或两种以上的反应原料气在沉积反应器中相互作用合成得到所需要的无机薄膜或其它材料形式的方法。

8.判断题低压下从石墨转变成金刚石是一个典型的反自发方向进行的反应，它依靠自发的氢原子耦合反应的推动来实现。

9.判断题化学气相沉积乃是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。

10.判断题吸附质从流体主体通过分子与对流扩散穿过薄膜或边界层传递到吸附剂的外表面，称之为外扩散过程。