电路如图所示，试指出哪些地方存在错误或不合理之处。图（a）所示为10倍交流放...

问答题 电路如图所示，试指出哪些地方存在错误或不合理之处。
图（a）所示为10倍交流放大器，图（b）所法为压控电流源，图（c）所示为100倍直流放大器，图（d）所示为带整流滤波的并联式稳压电路，图（e）所示为串联反馈型稳压电路。

参考答案： 图a：同相端无直流偏置，需加接一电阻到地；
图b：R_L与R的位置应互换；
图c...

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1.问答题 试判断如图所示电路是否能对输入信号进行放大，并说明理由？

参考答案：图（a）中电路对正弦信号无放大作用，因发射结无直流偏置。
图（b）中电路对正弦信号无放大作用，因电源V

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2.问答题 电路如图所示，设V_CC＝12V，R_L＝8
（1）求电路的最大输出功率；
（2）确定两BJT的极限参数I_CM、P_CM、|V_（BR）CEO|；
（3）当效率η＝0.5时输出功率P_o为多大？

参考答案：

3.问答题 在如图所示电路中，已知V_CC＝16V，R_L＝4Ω，T₁和T₂管的饱和管压降│U_CES│＝2V，输入电压
足够大。试问：
（1）最大不失真输出功率P_om和实际效率η各为多少？
（2）每个晶体管的最大功耗P_Tm1、P_Tm2为多少？

参考答案：

4.问答题增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。

参考答案：由于增强型MOS管在v_GS＝0时，v_D＝0（无导电沟道），必须在|v

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5.问答题 电路如图所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻R_s＝5KΩ的信号源．电路参数为：R_b1＝33KΩ，R_b2＝22KΩ。R_e＝3．9KΩ，R_c＝4．7KΩ，R_L＝5．1KΩ，C_e＝50μF（与R_e并联的电容器）．V_cc＝5V．I_E≈0.33mA，β₀＝120，r_ce＝300KΩ，r_bb′=50Ω，f_T=700MHZ及C_b′c=1pF。求
（1）输入电阻R_i；
（2）中频区电压增益|A_VM|；
（3）上限频率f_H。

参考答案：

6.问答题一高频BJT，在I_c＝1.5mA时，测出其低频H参数为：r_be＝1.1KΩ，β_o＝50，特征频率f_T＝100MHz，C_b′c=3pF，试求混合Ⅱ型参数g_m、r_b′e、r_bb′、C_b′e。

参考答案：

7.问答题 图题画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：
（1）电源电压V_CC，静态电流I_B、I_C和管压降V_CE的值；
（2）电阻R_b、R_C的值；
（3）输出电压的最大不失真幅度；
（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？

参考答案：（1）由图可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V_cc值的大小，故V_cc＝6V。...

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8.问答题 如图所示的运算放大电路中，已知R₁＝R₂＝10k，R₅＝15k，R₃＝R₄＝R₆＝30k，R_F＝30k，R_Fi＝R_F2＝10k，E₁＝3V，E₂＝4V，E₃＝3V。试求：
（1）指出A₁、A₂、A₃运算放大功能；
（2）计算输出电压u_o1、u_o2和u_o。

参考答案：

9.问答题 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知V_P＝－4v，I_DSS＝1mA，V_DD＝16v，R_G1＝160kΩ，，R_G2＝40kΩ，R_G＝1MΩ，R_D＝10kΩ，R_S＝8kΩ，R_L＝1MΩ。试求：
（1）静态工作点Q
（2）画出微变等效电路
（3）电压放大倍数A_u
（4）输入电阻R_i、输出电阻R_o

参考答案：

10.问答题 在如图所示电路中，电表M的满偏电流为100μA，表头内阻R_M＝2kΩ，三极管T₁、T₂的参数相同，β＝50，r_be＝1.8kΩ，电位器RW的滑动端位于中点。试求使电流表满偏时所需的输入电压v_S。

参考答案：