在结晶操作时，过饱和溶液在（）等外界条件的刺激下，均可诱发成核。

多项选择题在结晶操作时，过饱和溶液在（）等外界条件的刺激下，均可诱发成核。

A.固体杂质颗粒
B.容器界面的粗糙度
C.搅拌
D.超声波

1.多项选择题在结晶过程中，通常是（）同时存在。

A.溶剂量减少过程
B.溶质量增加过程
C.结晶生长过程
D.新晶核形成过程

2.多项选择题在结晶过程的相平衡关系图中，过饱和曲线的位置是不固定的，与（）等因素有关。

A.与产生过饱和的速度
B.加晶种的情况
C.机械搅拌的强度

3.多项选择题在结晶过程的相平衡关系图中，养晶区内的溶液为（）

A.饱和状态
B.不会自发成核
C.过饱和状态
D.会自发成核

4.多项选择题结晶过程中，过饱和度增高往往使（），导致晶体生长速率减慢。

A.溶液黏度增大
B.溶液黏度减小
C.扩散速率增大
D.扩散速率减小

5.多项选择题遇到（）甚至落入尘埃都可能使过饱和状态破坏而立即析出结晶，直到溶液达到饱和状态后，结晶过程才停止。

A.震动
B.搅拌
C.摩擦
D.加晶种

6.多项选择题当晶体与外部物体接触时，碰撞作用可发生在（）之间。

A.晶体与搅拌桨
B.晶体与结晶器表面
C.晶体与挡板
D.晶体与晶体

7.多项选择题过饱和曲线的位置不是固定的，它的位置与哪些因素有关？（）

A.产生过饱和度的速度
B.冷却和蒸发速度
C.加晶种的情况
D.机械搅拌的强度

8.多项选择题连续结晶也有缺点，使得人们在许多时候宁愿采用分批操作，其缺点有（）。

A.换热面和器壁上容易产生晶垢并不断累积
B.产品平均粒度较小
C.操作控制要求严格，比分批结晶难控制
D.操作参数不稳定

9.多项选择题通常根据产生过饱和度的方式不同，将结晶方法与结晶设备分为（）等。

A.冷却结晶
B.蒸发浓缩结晶
C.蒸发绝热结晶
D.反应结晶

10.多项选择题晶体中总是难免有杂质夹带在其中，杂质产生的原因主要包括（）。

A.某些杂质与产物的溶解度相近，产生共结晶现象
B.有些杂质会被结合到产品的晶格中
C.因洗涤不完全，而使晶体上带有母液和杂质
D.由于吸附作用，杂质和晶体结合