因为Cu的互连线电阻率低,介质层介电常数小。 多层互连对VLSI的意义:1提高集成度;2降低互连延迟3降低成本
最新试题
光刻工艺的设备核心是()。
光刻工艺对准误差包括()。
影响封装芯片特性的温度有()。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
进行沟槽填充常用的金属材料是()。
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。
鸟嘴效应造成的不良影响有()。
CE定律发展面临的问题包括()。
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
厚膜电阻的成分,一是导体颗粒,二是()。