集成电路用单晶硅的主要制备方法是（）

填空题集成电路用单晶硅的主要制备方法是（）

1.填空题摩尔定律的主要内容是（）。

2.填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。

3.问答题画出P型（100）、（111）和N型（100）、（111）单晶抛光硅片的外形判别示意图。

4.填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料（）、（）和化合物晶体材料（）、（）；硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选（）；TTL集成电路衬底材料的晶向常选（）；常用的硅集成电路介电薄膜是（）、（）；常用的IC互连线金属材料是（）、（）。

5.问答题简述1990年代CMOS工艺技术特征：特征尺寸、晶圆尺寸、衬底、隔离、源漏、栅极材料、光刻光源、曝光方式（光刻机）、刻蚀、互连材料及方式等。

6.问答题简述CMOS双阱工艺，画出标准埋层双极工艺流程示意图。

7.问答题分析比较CMOS工艺中LOCOS和STI两种隔离技术的各自特点。

8.问答题在VLSI中，为什么要采用Cu互连及多层金属化技术？

因为Cu的互连线电阻率低，介质层介电常数小。
多层互连对VLSI的意义：1提高集成度；2降低互连延迟3降低成本

9.问答题什么是分辨率？如何提高分辨率？

10.问答题简要说明正胶和负胶的关光刻原理与特性。