因为Cu的互连线电阻率低,介质层介电常数小。 多层互连对VLSI的意义:1提高集成度;2降低互连延迟3降低成本
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CMP的设备构成包括()。
光刻工艺对准误差包括()。
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湿氧氧化采用的氧化水温是()。
多层陶瓷基板多层化的方法包括()。
碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物?()
CE定律发展面临的问题包括()。
封装工艺中,银浆固化的温度为()。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。