湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

单项选择题湿氧氧化采用的氧化水温是（）。

A.95度
B.90度
C.80度
D.75度

1.单项选择题硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。

A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm

2.单项选择题下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）

A.金属离
B.微粒
C.纯度
D.浓度

3.单项选择题如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

A.化学物质
B.金属离子
C.融解的氧气
D.细菌

4.单项选择题目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）

A.注氧隔离法
B.智能剥离法
C.键合再减薄技术
D.以上都是

5.单项选择题硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）

A.制备硅烷
B.硅烷热分解
C.精馏
D.固体吸附法

6.多项选择题多层陶瓷基板多层化的方法包括（）。

A.印刷多层法
B.生板叠层法
C.磁控溅射法
D.厚膜多层法

7.单项选择题厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

A.有机物颗粒
B.塑料颗粒
C.玻璃颗粒
D.陶瓷颗粒

8.单项选择题典型的薄膜生长工艺一般采用物理气相淀积法进行，以下不属于物理气相淀积工艺的为（）。

A.真空蒸镀
B.溅射镀膜
C.化学镀
D.电镀

9.多项选择题鉴定加速试验中，温度相关的试验包括（）。

A.恒温试验
B.功率温度组合循环试验
C.温度循环试验
D.热冲击试验

10.单项选择题温度循环试验是在温度均值上应用一定幅值的温度变化，温度变化的速率是（）。

A.快速的
B.可变的
C.与温度没有关系
D.固定的