多项选择题芯片粘接的工艺过程包括（）。
A.银浆固化
B.点银浆
C.烘烤
D.芯片粘接
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.多项选择题影响封装芯片特性的温度有（）。
A.热敏感度
B.物理的脆弱度
C.热的产生
D.集成度
2.单项选择题下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）
A.一光检查
B.三光检查
C.二光检查
D.四光检查
3.单项选择题封装工艺中，银浆固化的温度为（）。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
4.多项选择题互连工艺中AL的制备可选用（）。
A.电镀
B.CVD
C.MBE
D.PVD
5.多项选择题金属化中可选用的金属材料有（）。
A.银
B.金
C.铝
D.铜
6.单项选择题进行沟槽填充常用的金属材料是（）。
A.铜
B.铝
C.钨
D.金
7.单项选择题化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）
A.还原剂
B.分散剂
C.腐蚀介质
D.磨料
8.多项选择题CMP的设备构成包括（）。
A.台板
B.抛光液
C.抛光垫
D.夹持设备
9.多项选择题新的平坦化方法有哪几个？（）
A.固结磨料CMP技术
B.无磨粒CMP技术
C.无应力抛光技术
D.电化学机械平坦化技术
10.多项选择题光刻工艺对准误差包括（）。
A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.转动
D.套准误差
