CMP的设备构成包括（）。

多项选择题CMP的设备构成包括（）。

A.台板
B.抛光液
C.抛光垫
D.夹持设备

1.多项选择题新的平坦化方法有哪几个？（）

A.固结磨料CMP技术
B.无磨粒CMP技术
C.无应力抛光技术
D.电化学机械平坦化技术

2.多项选择题光刻工艺对准误差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.转动
D.套准误差

3.多项选择题光刻工艺的特点包括（）。

A.决定特征尺寸的关键工艺
B.光刻与芯片的价格和性能密切相关
C.光刻工艺过程复杂
D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术

4.单项选择题光刻工艺的设备核心是（）。

A.掩膜版
B.对准和曝光
C.光刻机
D.光刻胶

5.单项选择题进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

A.碱溶液清洗
B.有机溶液清洗
C.HF结尾的清洗工艺
D.去离子水冲洗

6.多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

A.光刻胶
B.Si衬底
C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物
D.刻蚀溶液

7.多项选择题掺杂后，退火的目的是（）。

A.实现电激活
B.修复损伤
C.提高掺杂均匀性
D.加大损伤

8.多项选择题常压的硅外延方法有（）。

A.四氯化硅氢还原法
B.三氯氢硅氢还原法
C.二氯氢硅烷法
D.硅烷热分解法

9.单项选择题刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

A.氧化
B.离子注入
C.光刻
D.抛光

10.单项选择题注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）

A.能量
B.温度
C.剂量
D.质量