多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。
A.光刻胶
B.Si衬底
C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物
D.刻蚀溶液
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.多项选择题掺杂后，退火的目的是（）。
A.实现电激活
B.修复损伤
C.提高掺杂均匀性
D.加大损伤
2.多项选择题常压的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氢还原法
B.三氯氢硅氢还原法
C.二氯氢硅烷法
D.硅烷热分解法
3.单项选择题刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）
A.氧化
B.离子注入
C.光刻
D.抛光
4.单项选择题注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）
A.能量
B.温度
C.剂量
D.质量
5.单项选择题掺杂后退火时间一般在（）。
A.30~60分钟
B.10~20分钟
C.60~90分钟
D.100~120分钟
6.单项选择题当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。
A.最低掺杂剂量
B.临界剂量
C.损伤剂量
D.掺杂剂量
7.多项选择题下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
8.多项选择题鸟嘴效应造成的不良影响有（）。
A.有效栅宽变窄
B.电流减少
C.电容增加
D.电阻增大
9.多项选择题消除鸟嘴效应的方法有（）。
A.选择合适的掩蔽膜
B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化
C.退火
D.高压氧化工艺
10.单项选择题湿氧氧化采用的氧化水温是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
