多项选择题掺杂后,退火的目的是()。
A.实现电激活
B.修复损伤
C.提高掺杂均匀性
D.加大损伤
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1.多项选择题常压的硅外延方法有()。
A.四氯化硅氢还原法
B.三氯氢硅氢还原法
C.二氯氢硅烷法
D.硅烷热分解法
2.单项选择题刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
A.氧化
B.离子注入
C.光刻
D.抛光
3.单项选择题注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关?()
A.能量
B.温度
C.剂量
D.质量
4.单项选择题掺杂后退火时间一般在()。
A.30~60分钟
B.10~20分钟
C.60~90分钟
D.100~120分钟
5.单项选择题当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。
A.最低掺杂剂量
B.临界剂量
C.损伤剂量
D.掺杂剂量
6.多项选择题下面哪些元素属于半径较小的杂质原子?()
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
7.多项选择题鸟嘴效应造成的不良影响有()。
A.有效栅宽变窄
B.电流减少
C.电容增加
D.电阻增大
8.多项选择题消除鸟嘴效应的方法有()。
A.选择合适的掩蔽膜
B.在氧化前,将窗口处的硅腐蚀掉深度,再进行局部氧化
C.退火
D.高压氧化工艺
9.单项选择题湿氧氧化采用的氧化水温是()。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
10.单项选择题硅暴露在空气中,在室温下即可产生二氧化硅层,厚度约为()。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm