封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

单项选择题封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

A.190度
B.157度
C.180度
D.175度

1.多项选择题互连工艺中AL的制备可选用（）。

A.电镀
B.CVD
C.MBE
D.PVD

2.多项选择题金属化中可选用的金属材料有（）。

A.银
B.金
C.铝
D.铜

3.单项选择题进行沟槽填充常用的金属材料是（）。

A.铜
B.铝
C.钨
D.金

4.单项选择题化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）

A.还原剂
B.分散剂
C.腐蚀介质
D.磨料

5.多项选择题CMP的设备构成包括（）。

A.台板
B.抛光液
C.抛光垫
D.夹持设备

6.多项选择题新的平坦化方法有哪几个？（）

A.固结磨料CMP技术
B.无磨粒CMP技术
C.无应力抛光技术
D.电化学机械平坦化技术

7.多项选择题光刻工艺对准误差包括（）。

A.上下偏移
B.X或Y方向的平移
C.转动
D.套准误差

8.多项选择题光刻工艺的特点包括（）。

A.决定特征尺寸的关键工艺
B.光刻与芯片的价格和性能密切相关
C.光刻工艺过程复杂
D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术

9.单项选择题光刻工艺的设备核心是（）。

A.掩膜版
B.对准和曝光
C.光刻机
D.光刻胶

10.单项选择题进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

A.碱溶液清洗
B.有机溶液清洗
C.HF结尾的清洗工艺
D.去离子水冲洗