光刻工艺的特点包括（）。

多项选择题光刻工艺的特点包括（）。

A.决定特征尺寸的关键工艺
B.光刻与芯片的价格和性能密切相关
C.光刻工艺过程复杂
D.复印图像和化学作用相结合的综合性技术

1.单项选择题光刻工艺的设备核心是（）。

A.掩膜版
B.对准和曝光
C.光刻机
D.光刻胶

2.单项选择题进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

A.碱溶液清洗
B.有机溶液清洗
C.HF结尾的清洗工艺
D.去离子水冲洗

3.多项选择题刻蚀过程中聚合物形成的来源有（）。

A.光刻胶
B.Si衬底
C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物
D.刻蚀溶液

4.多项选择题掺杂后，退火的目的是（）。

A.实现电激活
B.修复损伤
C.提高掺杂均匀性
D.加大损伤

5.多项选择题常压的硅外延方法有（）。

A.四氯化硅氢还原法
B.三氯氢硅氢还原法
C.二氯氢硅烷法
D.硅烷热分解法

6.单项选择题刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

A.氧化
B.离子注入
C.光刻
D.抛光

7.单项选择题注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）

A.能量
B.温度
C.剂量
D.质量

8.单项选择题掺杂后退火时间一般在（）。

A.30~60分钟
B.10~20分钟
C.60~90分钟
D.100~120分钟

9.单项选择题当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。

A.最低掺杂剂量
B.临界剂量
C.损伤剂量
D.掺杂剂量

10.多项选择题下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）

A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au