单项选择题注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）
A.能量
B.温度
C.剂量
D.质量
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1.单项选择题掺杂后退火时间一般在（）。
A.30~60分钟
B.10~20分钟
C.60~90分钟
D.100~120分钟
2.单项选择题当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为（）。
A.最低掺杂剂量
B.临界剂量
C.损伤剂量
D.掺杂剂量
3.多项选择题下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
4.多项选择题鸟嘴效应造成的不良影响有（）。
A.有效栅宽变窄
B.电流减少
C.电容增加
D.电阻增大
5.多项选择题消除鸟嘴效应的方法有（）。
A.选择合适的掩蔽膜
B.在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉深度，再进行局部氧化
C.退火
D.高压氧化工艺
6.单项选择题湿氧氧化采用的氧化水温是（）。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
7.单项选择题硅暴露在空气中，在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为（）。
A.30nm
B.10nm
C.20nm
D.25nm
8.单项选择题下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标？（）
A.金属离
B.微粒
C.纯度
D.浓度
9.单项选择题如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）
A.化学物质
B.金属离子
C.融解的氧气
D.细菌
10.单项选择题目前制备SOI材料的主流技术有几种？（）
A.注氧隔离法
B.智能剥离法
C.键合再减薄技术
D.以上都是
