判断题碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.多项选择题CE定律发展面临的问题包括（）。
A.工艺实现存在问题
B.源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小
C.阈值电压不可能缩的太小
D.电源电压标准的改变会带来很大的不便
2.多项选择题IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。
A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，集成度提高α倍
B.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，而单位芯片面积的功耗不变
C.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，单元电路的功耗下降α2倍
D.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，电路速度可增加α倍
4.多项选择题芯片粘接的工艺过程包括（）。
A.银浆固化
B.点银浆
C.烘烤
D.芯片粘接
5.多项选择题影响封装芯片特性的温度有（）。
A.热敏感度
B.物理的脆弱度
C.热的产生
D.集成度
6.单项选择题下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？（）
A.一光检查
B.三光检查
C.二光检查
D.四光检查
7.单项选择题封装工艺中，银浆固化的温度为（）。
A.190度
B.157度
C.180度
D.175度
8.多项选择题互连工艺中AL的制备可选用（）。
A.电镀
B.CVD
C.MBE
D.PVD
9.多项选择题金属化中可选用的金属材料有（）。
A.银
B.金
C.铝
D.铜
10.单项选择题进行沟槽填充常用的金属材料是（）。
A.铜
B.铝
C.钨
D.金
