IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是（）。

掺杂后，退火的目的是（）。

影响封装芯片特性的温度有（）。

光刻工艺对准误差包括（）。

化学机械抛光液的主要成分不包括的是哪个？（）

刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）

CMP的设备构成包括（）。

进行沟槽填充常用的金属材料是（）。

芯片粘接的工艺过程包括（）。

下面哪些元素属于半径较小的杂质原子？（）