问答题设计一个实验:先将一块本征半导体变成N型半导体,然后再设法使它变成P型半导体。
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5.问答题
识别如图所示工艺,写出每个步骤名称并进行描述。
8.多项选择题对于CMOS晶体管,要得到良好受控的阈值电压,需要控制()等工艺参数。
A.氧化层厚度;
B.沟道中掺杂浓度;
C.金属半导体功函数;
D.氧化层电荷。
9.单项选择题离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有()。
A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应
10.单项选择题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
A. 激活杂质后
B. 一种物质在另一种物质中的运动
C. 预淀积
D. 高温多步退火