最初只知道一个特殊的硅器件掺杂是用离子注入方法制备的，后经过测量得知：表面...

问答题最初只知道一个特殊的硅器件掺杂是用离子注入方法制备的，后经过测量得知：表面杂质浓度为4×10¹³cm^-3，峰值在1800Å深处，峰值浓度为5×10¹⁷cm^-3。假定离子注入服从对称高斯分布，你能估计出它的注入剂量是多少吗？

1.问答题 假设某项化学气相淀积工艺受反应速率控制，在700 ℃和800 ℃时的淀积速率分别为500Å/min和2000Å/min，请计算在900℃下的淀积速率是多少？实际测量发现900℃下淀积速率远低于计算值，说明什么？怎样证明？（化学气相淀积的反应速率常数）

2.问答题 识别如图所示工艺，写出每个步骤名称并进行描述。

3.问答题 如图为铝金属化与铜金属化工艺的比较。识别并描述每个工艺步骤。

4.问答题 依照如图，对硅片制造厂的六个分区分别做一个简短的描述，要求写出分区的主要功能、主要设备以及显著特点。

5.多项选择题对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。

A.氧化层厚度；
B.沟道中掺杂浓度；
C.金属半导体功函数；
D.氧化层电荷。

6.单项选择题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。

A. 电活性
B. 晶格损伤
C. 横向效应
D. 沟道效应

7.单项选择题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

A. 激活杂质后
B. 一种物质在另一种物质中的运动
C. 预淀积
D. 高温多步退火

8.单项选择题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用

9.单项选择题浸入式光刻技术可以使193nm光刻工艺的最小线宽减小到45nm以下。它通过采用折射率高的液体代替透镜组件间的空气，达到（）的目的。

A.增大光源波长；
B.减小光源波长；
C.减小光学系统数值孔径；
D.增大光学系统数值孔径。

10.单项选择题如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的（）。

A. 诱生电荷
B. 鸟嘴效应
C. 陷阱电荷
D. 可移动电荷