假设某项化学气相淀积工艺受反应速率控制,在700 ℃和800 ℃时的淀积速率分别为500Å/min和2000Å/min,请计算在900℃下的淀积速率是多少?实际测量发现900℃下淀积速率远低于计算值,说明什么?怎样证明?(化学气相淀积的反应速率常数)
识别如图所示工艺,写出每个步骤名称并进行描述。
如图为铝金属化与铜金属化工艺的比较。识别并描述每个工艺步骤。
依照如图,对硅片制造厂的六个分区分别做一个简短的描述,要求写出分区的主要功能、主要设备以及显著特点。
最新试题
互连工艺中AL的制备可选用()。
湿氧氧化采用的氧化水温是()。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
下面哪个选项不是集成电路工艺用化学气体质量的指标?()
厚膜电阻的成分,一是导体颗粒,二是()。
掺杂后,退火的目的是()。
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移?()
鸟嘴效应造成的不良影响有()。
光刻工艺的特点包括()。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()