厚膜电阻的成分，一是导体颗粒，二是（）。

封装工艺中，银浆固化的温度为（）。

金属化中可选用的金属材料有（）。

常压的硅外延方法有（）。

如下哪个选项不是半导体器件制备过程中的主要污染物？（）

注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）

掺杂后，退火的目的是（）。

进行光刻工艺前的清洗步骤是（）。

碳纳米管场效应晶体管是未来晶体管发展趋势之一。

硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项？（）