因为Cu的互连线电阻率低,介质层介电常数小。 多层互连对VLSI的意义:1提高集成度;2降低互连延迟3降低成本
最新试题
CE定律发展面临的问题包括()。
掺杂后,退火的目的是()。
影响封装芯片特性的温度有()。
常压的硅外延方法有()。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()
掺杂后退火时间一般在()。
三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。
封装工艺中,银浆固化的温度为()。
刻蚀过程中聚合物形成的来源有()。
当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注入剂量称为()。