因为Cu的互连线电阻率低,介质层介电常数小。 多层互连对VLSI的意义:1提高集成度;2降低互连延迟3降低成本
最新试题
影响封装芯片特性的温度有()。
硅烷法制备高纯硅的步骤不包括哪一项?()
刻蚀过程中聚合物形成的来源有()。
互连工艺中AL的制备可选用()。
常压的硅外延方法有()。
光刻工艺的设备核心是()。
CE定律发展面临的问题包括()。
新的平坦化方法有哪几个?()
IC集成度和性能得以不断提高的理论基础是()。
芯片粘接的工艺过程包括()。