单项选择题由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在()部位不易形核。
A.大角度晶界和孪晶界
B.相界面
C.外表面
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1.单项选择题开始发生再结晶的标志是()
A.产生多变化
B.新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织
C.晶粒尺寸显著增大
2.单项选择题纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在()位置首先发生再结晶形核。
A.小角度晶界
B.孪晶界
C.外表面
3.单项选择题再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着()方向移动。
A.曲率中心
B.曲率中心相反
C.曲率中心垂直
4.单项选择题位错缠结的多边化发生在形变合金加热的()阶段。
A.回复
B.再结晶
C.晶粒长大
5.单项选择题Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是()
A.溶质原子再扩散到位错周围
B.位错增殖的结果
C.位错密度降低的结果
6.单项选择题已知Cu的Tm=1083摄氏度,则Cu的最低再结晶温度约为()
A.200摄氏度
B.270摄氏度
C.350摄氏度
7.单项选择题bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中,()具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。
A.bcc
B.fcc
C.hcp
8.单项选择题塑性变形产生的滑移面和滑移方向是()
A.晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向
B.晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向
C.晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向
9.单项选择题在弹性极限σe范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为()
A.包申格效应
B.弹性后效
C.弹性滞后
10.单项选择题固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是()
A.间隙机制
B.空位机制
C.交换机制
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