结电容是常量。

根据空位机制下的总扩散系数公式，给出本征硅，低浓度掺杂，N型重掺杂及P型重掺杂下的扩散系数公式。

本征半导体导电性能很差。

说明氧化气氛对扩散有何影响及原因？

试说明横向扩散以及横向扩散的主要影响。

关于PN 结的导电，下列叙述不正确的是：（）

与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。

点接触型比面接触型二极管的结电容面积小，因此其最高工作频率低。

理想二极管模型在直流电路分析中误差很大，因此不能使用。

列出并解释替位杂质在硅中的三种主要扩散机制。