如下图求半径为R、电荷面密度为η的曲线长均匀带电圆柱面内外的场强。

均匀电场E与半径为R的半球面的对称轴平行（如下图），试计算此半球面的E通量（约定半球面的法矢向右），若以半球面的边线为边线另做一任意形状的曲面（法矢仍向右），此面的E通量为多少？（提示：两问都用高斯定理）。

下图中的立方体边长为a=10cm，场强分量为E_x=bx^1/2，E_y=E_z=0，其中b=800N/（C⋅m^1/2），求：
（1）立方体表面的E通量。
（2）立方体内总电荷。

无限长带电圆柱面的电荷面密度由下式决定：σ=σ₀cosϕ（见下图）求圆柱面轴线上的场强。

把电荷线密度为η的无限长均匀带电线分别弯成下图（a）、（b）两在种形状，若圆弧半径为R，求两图中O点的场强E。

电荷以线密度η均匀分布在长为L的直线段上，求：
（1）带电线的中垂面上与带电线相距为R的点的场强。
（2）试证当L→∞时，该点的场强
（3）试证当R>L时所得结果与点电荷场强公式一致。

下图中均匀带电圆环的半径为R，总电荷为q，求：
（1）轴线上离环心O为x处的场强E。
（2）大致画出E—x曲线。
（3）轴线上何处场强最大？其值是多少？

如图所示为另一种电四极子，设q和都已知，P点到正方形的中心O距离为x，与正方形的一对边平行，求P点的电场强度及电位分布。

一个电子射入强度是5×10³N/C，方向竖直享受的均匀电场，电子的初速度为10⁷m/s与水平面所夹的入射角为30°（见下图），不考虑重力的影响，求：
（1）电子上升的最大高度。
（2）电子回到原来高度时的水平射程。