通常情况下，直写高速缓存是（）的，写回高速缓存是（）的。

单项选择题通常情况下，直写高速缓存是（）的，写回高速缓存是（）的。

A.非写分配；写分配
B.非写分配；非写分配
C.写分配；非写分配
D.写分配；写分配

1.单项选择题某高速缓存的结构用元组（S，E，B，m）表示为（32，4，8，32），则它的容量为（）字节。

A.1024
B.32768
C.32
D.256

2.单项选择题在存储器层次结构中，靠近CPU、容量小、速度快的设备是（）。

A.寄存器
B.主存
C.磁盘
D.高速缓存

3.多项选择题关于局部性原理，不正确的有（）

A.局部性包括时间局部性和空间局部性
B.重复引用一个变量具有良好的空间局部性
C.具有引用模式的程序，步长越小，空间局部性越好
D.CPU取指令存在局部性

4.单项选择题对扇区的访问时间不包括（）

A.寻道时间
B.CPU发起磁盘读时间
C.旋转时间
D.传送时间

5.单项选择题某磁盘有两个盘面，10，000个柱面，每条磁道平均有400个扇区，每个扇区有512个字节，则该磁盘的容量是（）字节。

A.2，048
B.40，000
C.8，192，000，000
D.512

6.单项选择题某磁盘有两个盘片，10，000个柱面，每条磁道平均有400个扇区，每个扇区有512个字节，则该磁盘有（）个磁道。

A.20，000
B.40，000
C.8，192，000，000
D.2

7.单项选择题非易失性存储器不包括（）

A.PROM
B.EEPROM
C.固态硬盘
D.高速缓存

8.单项选择题以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）

A.DRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B.SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
C.SRAM主要用于高速缓存
D.SRAM具有双稳态特性

9.单项选择题以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）

A.DRAM具有双稳态特性
B.SRAM将每个位存储为对一个电容的充电
C.DRAM主要用于主存，帧缓冲区
D.SRAM对干扰非常敏感

10.单项选择题以下哪些措施可能提高程序并行性（）

A.循环展开
B.创建多个累积变量
C.重新变换结合
D.以上都是